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N~+和Bi~+离子注入InP反冲原子P和In深度分布偏离的研究
本文给出了用背散射和沟道技术所分析的N~+和Bi~+注入InP中In和P原子位移的面密度分布。发现移位原子In和P面密度分布峰的深度随注......
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